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月刊オプトロニクス2024年5月号レビュー
日進月歩で進展している深紫外光デバイス。従来技術と比較して高速応答や低消費電力などのメリットが享受できるため、その実用化が期待されています。今回は高出力・高効率化や短波長化へのアプローチとして材料や構造の開発、さらに光制御といった観点から最新の研究開発を解説していただきます。
目次
特集「深紫外光デバイスの進展とその応用」
総論
縦型AlGaN系UV-Bレーザーダイオードの作製
AlN基板上に作製したFUV LEDの高効率化・長寿命化に向けた取り組み
サファイア基板上220〜230 nm far-UVC LEDの進展
深紫外LEDの配光角制御/高出力化とその応用
スパッタ堆積と高温アニールで作製した低欠陥密度AlNテンプレートと深紫外LED
極性反転AlN光導波路型遠紫外波長変換デバイスの開発
Photo-Tech News & Report
レーザー核融合で発電する時代へ,進展する技術開発と高まる投資熱
NECとNTT,12コア光ファイバーによる長距離伝送に成功
マーケットレビュー
2023年度の光産業出荷額,12兆9,540億円でプラス成長へ
連載
レーザ加工の魅力 第2回
シリーズ
若手研究者の挑戦 第98回
コラム
発明・特許のこぼれ話 第197回
ひかりがたり 第134話
論調~海外技術誌を読み解く 第80回
光業界トピックス
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